。

一九九三年，阿斯麦盈利一千一百万美刀，到了一九九四年，其净利润超过了二千万美刀。

一九九五年，阿斯麦终于在花旗国，和河兰的首都交易所上市，从成立算起，历时十一年。

花旗国是半导体的发源地，从晶体管到微处理器，再到dra（一种半导体存储器）和非易失性储存器，都是花旗国公司的产物。

二十世纪六十年代和七十年代初，花旗国一直是芯片市场的霸主。但到八十年代，岛国凭借dra成功崛起。

花旗国的光刻机产业，随着半导体主要市场的变化遭受重击，gca走向落寞，尼糠逐渐的壮大了起来。

但花旗国并不愿意，拱手将光刻机市场让出。

六角大楼的工作人员表示“这是我们不能失去的东西，否则我们会发现，自己要完全依赖海外制造者来指导，对我们来说最敏感的东西。”

这种意识确实超前。

为了把最先进的技术留在花旗国，一九九七年，英特尔和花旗国能源部牵头，成立了的euv llc联盟，希望能研发出euv极紫外线光刻机，重拾半导体制霸权。

这个联盟有花旗国能源部，及其下属三大国家实验室，还有英特尔和摩托罗拉、ad、ib等科技公司。

花旗国人还需要挑选一个光刻机公司加入联盟，尼糠和asl都是不错的备选。

花旗国人显然不可能选用，崛起中的岛国企业，给自己制造麻烦。

于是，较为弱势的阿斯慢成功入伙。

作为回报，阿斯慢将替花旗国，把光刻机龙头的桂冠，从尼糠头上摘下。

阿斯慢用了两场战役，彻底将尼糠踩在脚下。

第一个关键的技术节点是，阿斯慢与台急电工程师宁本坚合作，用后者推崇的“浸润式光刻技术”，突破固有的制程限制。

宁本坚曾前往岛国宣传该技术，但尼糠等厂商并没有接受他的方案。

当时市面上的光刻机都是干式的，没有谁用液体做光刻机。

二零零四年，阿斯慢和台急电合作一年后，推出了第一台浸润式光刻机样机，波长能达到132n，率先攻克芯片制程卡顿，并一举拿下ib和台急电等大客户的订单。

尼糠虽然很快也推出了干式微影光刻机产品，但其光源只能做到157纳米，显然阿斯慢更胜一筹。

到二零零七年，阿斯慢的光刻机市场份额已达到百分之六十，首次超过尼糠。

而真正让阿斯慢封神的，还是独门的euv（极紫外线）光刻机。

这项技术的突破，离不开强大的盟友们。

euv联盟的几百位科学家，发表了大量论文研究euv技术。

身处其中的阿斯慢，能最先了解euv最新研发成果，也拥有花旗国最领先的半导体技术、材料学、光学以及精密制造，等技术的优先使用权。

作为交换，花旗国政府拥有对阿斯慢生产的监管权限。这也是为何今天花旗国会对阿斯慢有巨大话语权的原因之一。

euv联盟在二零零三年，认为理论工作已经完成，便在当年解散。

所有的技术成果，都由阿斯慢所掌握，但直到二零一五年，阿斯慢才将euv光刻机做到量产。

中间，因为花旗国顶级光源企业cyr，一直搞不定euv所需光源的研发，阿斯慢就在二零一二年将该公司收购了，投入重金全力研发euv所需的光源。

资金不足时，阿斯慢就从客户手里掏钱。

二零一二年，阿斯麦提出“客户联合投资计划”，拿出百分之二十五的股份，邀请主要客户做联合投资，股东将拥有优先订货权。

英特尔、三星、台急电三家公司凑了五十二亿多欧元，支持euv光刻机的研